Архив рубрики: Лазеры

Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Золотарев, Л. С. Вавилова, А. Ю. Лешко, М. Г. Растегаева, И. В. Мирошников, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург АО «НИИ “Полюс”… Читать далее »

Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. А. Крючков, В. А. Стрелец, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны микролинейки полупроводниковых лазеров с длиной резонатора 6 мм, включающие в себя излучающие области размером 5×100 мкм с фактором заполнения 25 %. Установлено, что в диапазоне… Читать далее »

Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов

А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. В. Шамахов, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. А. Климов, С. В. Зазулин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург ЗАО ПК “ФИД-Техника”, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны и исследованы лазерные диоды, изготовленные на основе асимметричной гетероструктуры AlGaAs/GaAs с… Читать далее »

Новый режим генерации диодного лазера: 200-пикосекундный фронт наносекундного импульса

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва Институт космических исследований РАН, г. Москва Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва Czech Technical University in Prague, Prague, Czech Republic Аннотация: Впервые, насколько нам известно, исследован уникальный дальномер, созданный на базе диодного инжекционного лазера с безопасным для глаз уровнем… Читать далее »

Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Национальный исследовательский университет ИТМО, С.-Петербург Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» Санкт-Петербург АО “ОКБ-Планета”, г. Великий Новгород Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург ООО “Коннектор Оптикс”, г. Санкт-Петербург… Читать далее »

Аналитическая модель лазера на метастабильных атомах инертных газов с поперечной диодной накачкой

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск Аннотация: Теоретически исследована работа лазера на метастабильных атомах инертных газов с поперечной диодной накачкой. Для случая не слишком малого коэффициента отражения выходного зеркала получено аналитическое решение, которое позволяет исчерпывающе определить любые энергетические характеристики лазера и найти оптимальные параметры рабочей среды и излучения накачки, необходимые для наиболее эффективной работы… Читать далее »

Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)

И. С. Шашкин, А. Д. Рыбкин, В. А. Крючков, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, Н. А. Рудова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Развит подход, направленный на исследование временной зависимости перегрева активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой апертурой (800 мкм),… Читать далее »

Мощный источник спектрально-узкополосного излучения на основе интегрированных лазерных диодов с внешним резонатором

В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, И. В. Галушка, Н. Н. Беглецова, И. А. Зимин, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик, А. П. Богатов Аннотация: Продемонстрирована интеграция 24-х лазерных диодов с внешним резонатором в один спектрально-узкополосный излучатель с длиной волны вблизи 779 нм, суммарной мощностью свыше 35 Вт и шириной спектра не… Читать далее »

ВУФ генерация в водороде и фторе в диффузных разрядах, формируемых убегающими электронами

А. Н. Панченко, В. Ф. Тарасенко, В. В. Кожевников Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск Аннотация: Проведено исследование параметров вынужденного ВУФ излучения, генерируемого при диффузных разрядах, формируемых в резко неоднородном электрическом поле в смесях инертных газов с добавками водорода и фтора при давлении до 10 атм. Получена эффективная ВУФ генерация на молекулярных переходах водорода… Читать далее »

Формирование излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона

А. Е. Шепелев, А. Г. Путилов, А. А. Антипов, А. А. Ангелуц Институт проблем лазерных и информационных технологий – филиал ФНИЦ «Кристаллогр­афия и фотоника» РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет Аннотация: Выполнены исследования квантово-каскадного лазера (ККЛ) и представлены результаты регистрации диаграммы направленности… Читать далее »