Архив метки: Н. А. Пихтин

Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Золотарев, Л. С. Вавилова, А. Ю. Лешко, М. Г. Растегаева, И. В. Мирошников, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург АО «НИИ “Полюс”… Читать далее »

Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом

С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. А. Крючков, В. А. Стрелец, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны микролинейки полупроводниковых лазеров с длиной резонатора 6 мм, включающие в себя излучающие области размером 5×100 мкм с фактором заполнения 25 %. Установлено, что в диапазоне… Читать далее »

Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов

А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. В. Шамахов, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. А. Климов, С. В. Зазулин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург ЗАО ПК “ФИД-Техника”, г. Санкт-Петербург Аннотация: Разработаны и исследованы лазерные диоды, изготовленные на основе асимметричной гетероструктуры AlGaAs/GaAs с… Читать далее »

Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями

С. О. Слипченко, Д. А. Веселов, В. В. Золотарев, А. В. Лютецкий, А. А. Подоскин, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. С. Шашкин, П. С. Копьев, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Подробно изложены основные результаты работ по созданию мощных полупроводниковых лазерных диодов на основе асимметричных… Читать далее »

Селекция мод латерального волновода для реализации одномодового режима работы лазеров с распределенным брэгговским зеркалом

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Теоретически исследованы возможности селекции мод латеральных волноводов мезаполосковой конструкции для реализации одномодового режима работы лазеров с поверхностным распределенным брэгговским зеркалом (РБЗ). Представлен анализ зависимости модовой дискриминации латеральных мод TE00 и TE01 от параметров лазерного кристалла: ширины мезаполоска, глубины мезаканавок и глубины РБЗ. Продемонстрирован алгоритм выбора данных параметров… Читать далее »

Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)

И. С. Шашкин, А. Д. Рыбкин, В. А. Крючков, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, Н. А. Рудова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург Аннотация: Развит подход, направленный на исследование временной зависимости перегрева активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой апертурой (800 мкм),… Читать далее »

Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ

В. С. Головин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, П. С. Копьёв Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация: При помощи численного решения одномерных (1D) скоростных уравнений проанализирован эффект выгорания продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах. Расчёты проводились для лазеров на основе GaAs, работающих на длине волны… Читать далее »

Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров

Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, В. А. Крючков, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация: Исследованы лазеры на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs спектрального диапазона 1.0 – 1.1 мкм с целью оптимизации эмиттерных слоев. Проанализировано влияние толщины и состава эмиттерных слоев… Читать далее »

Квантово-каскадные лазеры мощностью 10 Вт для спектральной области 4.6 мкм

В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, А. В. Бабичев, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. И. Кучинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, г. С.-Петербург Университет ИТМО,… Читать далее »

Динамика излучения Yb, Er-лазера с диодной накачкой при воздействии на пассивный затвор мощной внешней подсветки

Е. О. Батура, Ю. К. Бобрецова, М. В. Богданович, Д. А. Веселов, А. В. Григорьев, В. Н. Дудиков, А. М. Кот, Н. А. Пихтин, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, С. О. Слипченко, П. В. Шпак Институт физики им. Б. И. Степанова НАНБ, г. Минск Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург Аннотация:… Читать далее »